[发明专利]p型氧化物半导体膜及其形成方法在审
| 申请号： | 201880074297.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111356793A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋;松田时宜;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/06;H01L21/337;H01L21/338;H01L21/365;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够有用于工业且半导体特性优良的p型氧化物半导体膜；以及其形成方法。使用金属氧化物(例如氧化铱)的气体作为原料，以在具有金刚石结构的基体(例如蓝宝石基板等)上进行结晶成长，直至膜厚为50nm以上。由此，形成具有金刚石结构的p型氧化物半导体膜，其膜厚为50nm以上且其表面粗糙度为10nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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