[发明专利]p型氧化物半导体膜及其形成方法在审
| 申请号： | 201880074297.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111356793A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋;松田时宜;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/06;H01L21/337;H01L21/338;H01L21/365;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 及其 形成 方法 | ||
1.一种p型氧化物半导体膜，其是包含具有金刚石结构的金属氧化物作为主成分的p型氧化物半导体膜，而且其表面粗糙度为100nm以下。
2.根据权利要求1所述的p型氧化物半导体膜，其中，其膜厚为50nm以上。
3.根据权利要求1所述的p型氧化物半导体膜，其中，该膜厚为100nm以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的p型氧化物半导体膜，其中，该金属氧化物含有周期表中的d区块金属、或周期表第13族金属。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的p型氧化物半导体膜，其中该金属氧化物含有周期表第9族金属或是第13族金属。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的p型氧化物半导体膜，其中该金属氧化物含有铱。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的p型氧化物半导体膜，其中，该表面粗糙度为10nm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的p型氧化物半导体膜，其中，其迁移率为1.0cm2/V·s以上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的p型氧化物半导体膜，其中，其载子密度为8.0×1020/cm3以上。
10.一种p型氧化物半导体膜的形成方法，其为形成p型氧化物半导体膜的方法，其中，
在p型氧化物半导体膜的形成中，使用金属氧化物气体作为原料，以在具有金刚石结构的基体上进行结晶成长。
11.根据权利要求10所述的p型氧化物半导体膜的形成方法，其中该金属氧化物气体含有周期表第9族金属或是第13族金属。
12.根据权利要求10或11所述的p型氧化物半导体膜的形成方法，其中该金属氧化物气体含有周期表第9族金属。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的p型氧化物半导体膜的形成方法，其中该金属氧化物气体至少含有铱。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的p型氧化物半导体膜的形成方法，其中该金属氧化物气体为通过将该金属氧化物气体的固体加热使其升华而得。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的p型氧化物半导体膜的形成方法，其中，该结晶成长在大气压下进行。
16.一种半导体装置，其至少包含1种或2种以上的半导体层以及电极，其中，
该半导体装置包含根据权利要求1至9中任一项所述的p型氧化物半导体膜。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，该半导体层包含n型半导体层，而且该n型半导体层包含氧化物半导体作为主成分。
18.根据权利要求16或17所述的半导体装置，其中，该n型半导体层以包含周期表第13族金属的氧化物半导体作为主成分。
19.根据权利要求16至18中任一项所述的半导体装置，其为二极管或晶体管。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的半导体装置，其为SBD、MESFET、IGBT或是JFET。
21.根据权利要求16至20中任一项所述的半导体装置，包含：
硅基板；以及
形成在该硅基板上的掩埋绝缘层。
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