[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201880074278.X | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111357115A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | C·哈里森;S·诺弗尔 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G02F1/13 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种技术，包括：提供包含定义晶体管阵列的堆叠层的工件，该晶体管包括有机半导体沟道，其中该堆叠层包括定义上导体元件阵列的上导体图案(8)，每个与通孔区(10)中的下导体图案的各个下导体元件(6)接触；所述方法包括：通过在所述上导体图案上形成堵塞层来处理所述工件，所述堵塞层在至少所述通孔区中提高所述工件的上表面水平，同时使每个上导体元件的至少一部分暴露；以及在所述上导体图案上提供光学介质(36)，而不首先在所述工件的上表面上形成无机防潮层。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
