[发明专利]显示装置

说明书

一种技术，包括：提供包含定义晶体管阵列的堆叠层的工件，该晶体管包括有机半导体沟道，其中该堆叠层包括定义上导体元件阵列的上导体图案(8)，每个与通孔区(10)中的下导体图案的各个下导体元件(6)接触；所述方法包括：通过在所述上导体图案上形成堵塞层来处理所述工件，所述堵塞层在至少所述通孔区中提高所述工件的上表面水平，同时使每个上导体元件的至少一部分暴露；以及在所述上导体图案上提供光学介质(36)，而不首先在所述工件的上表面上形成无机防潮层。

一些显示装置包含背板组件，该背板组件包括定义晶体管阵列的堆叠层，该晶体管包含有机半导体沟道。旨在提高开口率的技术涉及形成与晶体管的源极和漏极导体不同水平的像素导体，并在堆叠中形成通孔，像素导体通过该通孔接触定义晶体管的源极和漏极导体的下导体图案。

显示装置可以是例如液晶显示(LCD)装置或发光二极管(LED)装置。

在LCD装置的情况下，液晶材料通常占据背板组件和另一支撑组件之间的空间。在LED装置的情况下，在定义像素导体阵列的导体图案上形成堤岸结构，并且将一种或多种LED材料(包含有机发光材料)沉积到由堤岸结构定义的井中。

本申请的发明人已经进行了改善显示装置的显示性能的工作，该显示装置包含上述种类的背板组件。

由此，提供一种方法，包括：提供包含定义晶体管阵列的堆叠层的工件，该晶体管包含有机半导体沟道，其中该堆叠层包括定义上导体元件阵列的上导体图案，每个上导体元件与通孔区中的下导体图案的各个下导体元件接触；所述方法包括：通过在所述上导体图案上形成堵塞层来处理所述工件，所述堵塞层在至少所述通孔区中提高所述工件的上表面水平，同时使每个上导体元件的至少一部分暴露；以及在所述上导体图案上提供光学介质，而不首先在所述工件的上表面上形成无机防潮层。

根据一个实施例，在通孔区外，堵塞层的上表面不低于上导体图案的上表面。

根据一个实施例，光学介质包括液晶材料，并且该方法包括在工件的上表面上在上导体图案上形成取向层，而不首先在工件的上表面上形成无机防潮层。

根据一个实施例，光学介质包括发光二极管，发光二极管包括有机发光材料，并且该方法包括在工件的上表面上形成发光二极管元件，而不首先在工件的上表面上形成无机防潮层。

根据一个实施例，形成堵塞层包括在工件的上表面上形成平面化层，然后图案化平面化层以暴露每个上导电元件的至少一部分。

根据一个实施例，该方法还包括在平面化层上形成另外的导体图案，该另外的导体图案定义另外的导电元件阵列，每一个导电元件与上导电元件中的各自的一个接触，其中每个另外的导电元件占据的面积包含通孔区，其中各个上导电元件与各个下导电元件接触。

由此，还提供一种显示装置，包括：定义晶体管阵列的堆叠层，该晶体管包含有机半导体沟道，其中该堆叠层包括定义上导体元件阵列的上导体图案，每个上导体元件与各个通孔区中的下导体图案的各个下导电元件接触；图案化的平面化层，其至少延伸到通孔区中的上导体图案的上表面，并且使每个上导电元件的至少一部分暴露；以及在上导体图案上的光学介质，而在上导体图案和光学介质之间没有任何无机防潮层。

根据一个实施例，光学介质包括液晶材料，并且所述装置包括在上导体图案上的取向层，在上导体图案和取向层之间没有任何无机防潮层。

根据一个实施例，光学介质包括发光二极管，所述发光二极管包括有机发光材料，并且所述显示装置包括在上导体图案上的发光二极管元件，在所述上导体图案和所述发光二极管元件之间没有任何无机防潮层。

根据一个实施例，所述显示装置还包括在所述图案化的平面化层上的另外的导体图案，所述另外的导体图案定义另外的导电元件阵列，每个另外的导电元件与上导电元件中的各自的一个接触；其中每个另外的导电元件占据的区域包含通孔区，其中各个上导电元件接触各个的下导电元件。

下面参照附图仅通过举例的方式描述本发明的实施例，其中：