[发明专利]光刻胶作为多光谱滤光器阵列上的不透明孔掩模在审
| 申请号: | 201880073328.2 | 申请日: | 2018-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN111465897A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 凯文·R·唐宁 | 申请(专利权)人: | 美题隆公司 |
| 主分类号: | G03F1/56 | 分类号: | G03F1/56;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 唐述灿 |
| 地址: | 美国俄亥俄州梅菲*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 设备(例如,多光谱滤光器阵列、光学晶片、光学部件)具有直接印刷在其上的孔掩模,该孔掩模包含正性或负性光刻胶。该设备包括基底,该基底具有印刷在基底的光入射面或光出射面中的至少一个上的孔掩模,以在基底的一部分上方提供孔。形成孔掩模的光刻胶是可光定义的或不可光定义的,并且被沉积/印刷,以在基底上形成孔掩模。 | ||
| 搜索关键词: | 光刻 作为 光谱 滤光 阵列 不透明 孔掩模 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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