[发明专利]光刻胶作为多光谱滤光器阵列上的不透明孔掩模在审
| 申请号: | 201880073328.2 | 申请日: | 2018-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN111465897A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 凯文·R·唐宁 | 申请(专利权)人: | 美题隆公司 |
| 主分类号: | G03F1/56 | 分类号: | G03F1/56;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 唐述灿 |
| 地址: | 美国俄亥俄州梅菲*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 作为 光谱 滤光 阵列 不透明 孔掩模 | ||
1.一种光学设备,包括:
基底,具有印刷在所述基底的光入射面或光出射面中的至少一个上的孔掩模,以在所述基底的一部分上方提供孔;
其中,所述孔掩模包含光刻胶。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述光刻胶是不透明的。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的设备,其中,在所述基底与所述孔掩模之间不存在光学涂层。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的设备,其中,所述孔掩模被印刷在所述基底的所述光入射面和所述光出射面二者上。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的设备,其中,所述基底选自由多光谱滤光器阵列,光学晶片和光学部件组成的组。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的设备,其中,所述光刻胶是可光定义的。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的设备,其中,所述光刻胶是正性光刻胶。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的设备,其中,所述光刻胶是负性光刻胶。
9.一种形成孔掩模的方法,包括:
在光学基底的表面上沉积光刻胶层;
将所述光刻胶层的多个部分曝光;和
显影所述光刻胶层,以在所述光学基底的所述表面上形成所述孔掩模。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,在所述基底与所述光刻胶层之间不设置光学涂层。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的方法,其中,所述光刻胶层沉积在所述光学基底的光入射面和光出射面二者上。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的方法,其中,所述光学基底选自由多光谱滤光器阵列、光学晶片和光学部件组成的组。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的方法,其中,所述光刻胶是正性光刻胶。
14.根据权利要求9-12中任一项所述的方法,其中,所述光刻胶是负性光刻胶。
15.根据权利要求9-14中任一项所述的方法,其中,所述光刻胶是可光定义的。
16.一种多光谱滤光器阵列,具有滤光元件基底,所述滤光元件基底上印刷有不透明的孔掩模,所述孔掩模由光刻胶形成。
17.根据权利要求16所述的多光谱滤光器阵列,其中,所述孔掩模被印刷在所述基底的光入射面和光出射面二者上。
18.一种光学装置,包括:
多光谱滤光器阵列,包括结合在一起以形成所述多光谱滤光器阵列的多个滤光元件;和
在所述多光谱滤光器阵列的光入射面和/或光出射面上形成的孔掩模,其中所述孔掩模包含光刻胶或不可光定义的聚酰亚胺。
19.根据权利要求18所述的光学装置,其中,所述孔掩模包括正性光刻胶或负性光刻胶。
20.根据权利要求18所述的光学装置,其中,所述孔掩模包括不可光定义的聚酰亚胺。
21.根据权利要求18至20中任一项所述的光学装置,其中,每个滤光元件包括滤光元件基底和形成干涉滤光器的滤光层堆叠层,所述干涉滤光器具有通带或阻带,所述滤光层堆叠层由所述滤光元件基底支撑。
22.根据权利要求18至21中任一项所述的光学装置,其中,各个滤光元件具有不同的通带或阻带。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





