[发明专利]表膜框架和表膜组件在审
| 申请号： | 201880070179.4 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111279260A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | A·W·戴斯;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;玛丽亚·皮特;彼得-詹·范兹沃勒;D·F·弗莱斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王璐璐 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于支撑表膜的表膜框架(17)，所述框架(17)包括第一表面(17B)和与所述第一表面(17A)相对的第二表面(17A)，以及设置在所述第一表面(17A)与所述第二表面(17B)之间的结构(18)；其中所述第一表面(17A)和所述第二表面(17B))以及所述结构(18)之间至少部分地限定不含形成所述框架(17)的材料的至少一个容积部(28)。 | ||
| 搜索关键词： | 框架 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
