[发明专利]表膜框架和表膜组件

说明书

一种用于支撑表膜的表膜框架(17)，所述框架(17)包括第一表面(17B)和与所述第一表面(17A)相对的第二表面(17A)，以及设置在所述第一表面(17A)与所述第二表面(17B)之间的结构(18)；其中所述第一表面(17A)和所述第二表面(17B))以及所述结构(18)之间至少部分地限定不含形成所述框架(17)的材料的至少一个容积部(28)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月27日递交的欧洲申请17198755.5的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本发明中。

技术领域

本发明涉及一种表膜框架和一种表膜组件。表膜组件可以包括表膜和用于支撑表膜的表膜框架。表膜可以适合于与用于光刻设备的图案形成装置一起使用。本发明具有与EUV光刻设备和EUV光刻工具有关的特定但非排它性用途。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

由光刻设备使用的用于将图案投影至衬底上的辐射的波长决定了能够形成在所述衬底上的特征的最小尺寸。相比于常规的光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)，使用具有在4nm至20nm的范围内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。

在光刻术中使用表膜是众所周知且公认的。DUV光刻设备中的典型的表膜是被定位成远离图案形成装置且在使用时在光刻设备的焦平面之外的隔膜。由于表膜在光刻设备的焦平面外，因此落在表膜上的污染粒子在光刻设备的焦点外。因此，污染粒子的图像未被投影至衬底上。如果表膜不存在，则落在图案形成装置上的污染粒子将被投影至衬底上且会把缺陷引入至所投影的图案中。

可能期望在EUV光刻设备中使用表膜。EUV光刻术与DUV光刻术的不同之处在于其典型地在真空中执行且图案形成装置典型地为反射式的而非为透射式的。

期望提供克服或减轻与现有技术相关联的一个或更多个问题的表膜框架和/或表膜组件。本发明中描述的本发明的实施例可以用于EUV光刻设备。本发明的实施例还可以用于DUV光刻设备和/或另外形式的光刻工具。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种表膜框架，用于支撑表膜，所述框架包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，以及设置在所述第一表面与所述第二表面之间的结构；其中所述第一表面和所述第二表面以及所述结构之间至少部分地限定不含形成所述框架的材料的至少一个容积部。

这可以具有以下优点：相对于不具有不含形成所述框架的材料的容积部的相应的框架，所述框架的重量可以减少，并且可以提高所述框架的本征频率。这可以允许使用不同的材料来形成所述框架。使用不同的材料可以允许更接近地匹配隔膜的热膨胀系数(CTE)，这可以在制作所述表膜期间减少热应力。

所述框架的至少一个部分可以具有与所述框架的至少一个其它部分不同的横截面轮廓。所述容积部的分布可以围绕所述框架不同，或至少在所述框架的所述至少一个部分与所述至少一个其它部分之间不同。这可以具有以下优点：所述容积部可以定位在实质上没有对框架的刚度(例如，所述框架的弯曲刚度和/或所述框架的抗扭刚度)作出贡献的所述框架的一部分中。

设置在所述第一表面与所述第二表面之间的所述结构的形式和/或容积部的量可以在所述框架的所述至少一个部分与所述至少一个其它部分之间不同。

所述容积部可以限定或包括至少一个空隙、空间、中空部、凹穴或腔室。

所述容积部可以围绕所述框架的周界的至少一部分延伸。

所述容积部可以是敞开的。