[发明专利]具有缓冲层的载体和器件以及制造器件的方法有效
申请号: | 201880069371.1 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN111247646B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | P.阿尔蒂里-韦马尔;I.诺伊德克;M.兹茨施佩格;S.格勒奇;H.科赫 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 说明了一种具有缓冲层(3)的载体(9)或一种特别是具有这种载体的器件(100)。所述载体被构造为金属的,其中所述缓冲层的屈服应力至少为10MPa并且至多为300MPa。特别地,所述载体具有基体(90),该基体在其材料组成方面被构造为使得所述基体的屈服应力大于所述缓冲层的屈服应力。所述器件例如具有半导体芯片(10),该半导体芯片具有衬底(1)和布置在所述衬底上的半导体本体(2),其中所述载体的热膨胀系数至少是所述衬底或所述半导体芯片的热膨胀系数的1.5倍。所述半导体芯片借助于连接层(4)固定在所述载体的安装表面(94)上,使得所述连接层布置在所述半导体芯片和所述缓冲层之间。还说明了一种用于制造这种器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 缓冲 载体 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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