[发明专利]具有缓冲层的载体和器件以及制造器件的方法

权利要求书

1.一种器件(100)，具有半导体芯片(10)、缓冲层(3)、连接层(4)和金属载体(9)，其中

-所述半导体芯片包括衬底(1)和布置在所述衬底上的半导体本体(2)，

-所述金属载体的热膨胀系数至少是所述衬底或所述半导体芯片的热膨胀系数的1.5倍，

-借助于所述连接层将所述半导体芯片固定在所述金属载体的安装表面(94)上，使得所述连接层布置在所述半导体芯片和所述缓冲层之间并且与所述半导体芯片的背侧(102)邻接，

-所述缓冲层的屈服应力至少为10MPa并且至多为300MPa，

-所述缓冲层(3)被结构化地构造，使得所述缓冲层具有开口(95)，所述开口沿垂直方向延伸到所述缓冲层中或穿过所述缓冲层延伸到所述载体(9)的基体(90)中，并且在横向方向上布置在所述安装表面(94)的侧向上，以及

-所述半导体芯片的衬底(1)和所述器件的金属载体(9)具有大于所述缓冲层(3)的屈服应力，其中

-所述衬底是在其上外延生长了所述半导体本体(2)的生长衬底，或者

-所述衬底具有金属的贯通接触部(72)和由半导体材料或电绝缘材料制成的基体，其中所述贯通接触部延伸穿过所述衬底的基体。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，在所述载体(9)的俯视图中，所述缓冲层(3)局部地被所述半导体芯片(10)覆盖并且局部地在侧向上突出超过所述半导体芯片。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，其中，

-所述载体(9)具有来自由Ag，Al，Au，Cu，Mg，Mn，Ni，Pb，Pt，Sn，Mo，W和Zn组成的组中的至少一种材料，并且

-所述缓冲层(3)具有至少一种金属，其中所述缓冲层在其材料选择方面以及在所述载体(9)和/或所述衬底(1)方面被构造为，使得所述缓冲层具有比所述载体和/或所述衬底更低的屈服应力。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，其中，布置在所述安装表面(94)上的连接层(4)是焊料层。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，其中，所述开口(95)具有横向地部分或完全包围所述安装表面(94)的沟槽或框架的形式，使得所述安装表面(94)被构造为在所述载体(9)的主表面(91)上的局部垂直抬高，并在横向方向上由所述开口(95)界定。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，所述器件具有布置在所述半导体芯片(10)的背离所述载体(9)的表面上的转换器层(6)，其中所述半导体芯片(10)是发光二极管，并且所述转换器层具有波长转换发光物质。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述衬底(1)和/或所述载体(9)具有小于400μm的垂直层厚度，并且所述转换器层(6)是预制的转换器板，其通过其他连接层(5)与所述半导体芯片(10)固定。

8.一种载体(9)，具有缓冲层(3)和基体(90)，其中

-所述载体具有用于容纳半导体芯片(10)的安装表面(94)，其中所述缓冲层位于所述安装表面和所述基体之间；

-所述缓冲层的屈服应力至少为10MPa并且至多为300MPa，

-所述载体被构造为金属的，

-所述基体和缓冲层在材料组成方面被设计为，使得所述基体的屈服应力大于所述缓冲层的屈服应力，并且

-所述缓冲层(3)被结构化地构造，使得所述缓冲层具有开口(95)，所述开口沿垂直方向延伸到所述缓冲层中或穿过所述缓冲层延伸到所述基体(90)中，并且在横向方向上布置在所述安装表面(94)的侧向上，其中所述开口(95)用作液体连接材料的蠕动停止件。

9.根据权利要求8所述的载体，其中，所述缓冲层(3)被构造为粗粒度的，具有大于100nm的平均粒径。

10.根据权利要求8所述的载体，其中，所述缓冲层(3)是易延展的金属层。