[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 201880068938.3 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN111263975A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杉冈真治;木村隆一;久保靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理装置，其通过在包含一种以上的药液及纯水的处理液中浸渍基板从而对该基板进行规定的处理，所述基板处理装置具备：处理槽，其贮留有用于对基板进行规定的处理的处理液；处理液更换部，当处理槽中的处理液的使用期到期时，对处理液进行更换；检测部，其对处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测；浓度控制部，其在使用期到期之前的期间，将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内；和延期部，其将利用处理液更换部进行的处理液的更换延期至规定的处理的开始时。此外，在通过延期部而处理液的更换被延期的期间，浓度控制部也将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880068938.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
