[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号: | 201880068938.3 | 申请日: | 2018-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN111263975A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
| 发明(设计)人: | 杉冈真治;木村隆一;久保靖 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
基板处理装置,其通过在包含一种以上的药液及纯水的处理液中浸渍基板从而对该基板进行规定的处理,所述基板处理装置具备:处理槽,其贮留有用于对基板进行规定的处理的处理液;处理液更换部,当处理槽中的处理液的使用期到期时,对处理液进行更换;检测部,其对处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测;浓度控制部,其在使用期到期之前的期间,将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内;和延期部,其将利用处理液更换部进行的处理液的更换延期至规定的处理的开始时。此外,在通过延期部而处理液的更换被延期的期间,浓度控制部也将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内。
技术领域
本发明涉及将半导体晶片等基板浸渍在贮留于处理槽的处理液而进行蚀刻处理、清洗处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
半导体装置的制造工序中包括下工序,即,将半导体晶片等基板浸渍在处理槽中,由此对该基板实施蚀刻处理、清洗处理。这样的工序利用包括多个处理槽的基板处理装置来执行。对于该基板处理装置的各处理槽中的处理液的浓度而言,有时随着时间的经过,根据处理液构成成分的蒸发、分解等而变化。因此,进行了用于将处理液的浓度维持在对于上述蚀刻处理、清洗处理而言适当的范围内的浓度控制。
基板处理装置还进行当处理液的使用期到期时对处理槽内的处理液进行更换的处理。所谓处理液的使用期,是指处理液的状态持续变化,当持续使用该处理液时,被判断为处理自身变得无法充分进行的使用时间,其预先通过实验等来确定。
在从处理液的更换起至对处理槽中的基板的处理开始为止存在一定程度的期间的情况下,在对基板的处理开始为止的期间,处理液的浓度可能脱离对于上述蚀刻处理、清洗处理而言适当的范围。因此,实施了下述技术:即使在使用期到期的情况下也不立即实施处理液的更换,而将处理液的更换延期至对基板的处理开始时。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-046443号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在将处理液的更换延期至对基板的处理开始时的情况下,延期的期间内处理槽内的处理液的浓度发生变化,浓度变化后的处理液流入基板处理装置的配管等。有时流入至配管等的处理液在处理槽内的处理液的更换时仍然残存,所残存的处理液对处理槽内的处理液的浓度产生影响。近年来,随着半导体器件的微细化、高度化的推进,在基板的规定的处理、尤其是蚀刻处理中,要求高蚀刻精度。需要更高精度地进行浓度控制的技术。
因此,公开的技术的一个侧面的目的在于,提供下述这样的技术,其在将处理液的更换延期至对基板的处理开始时的基板处理装置中,能够抑制处理液更换后的处理槽内的处理液的浓度的变动。
用于解决课题的手段
公开的技术的一个侧面通过下述基板处理装置来例示。本基板处理装置通过将基板浸渍于包含一种以上的药液及纯水的处理液中从而对该基板进行规定的处理。本基板处理装置具备:贮留有用于对基板进行规定的处理的处理液的处理槽;当处理槽中的处理液的使用期到期时,对处理液进行更换的处理液更换部;对处理液中的纯水或其他的规定成分的浓度进行检测的检测部;在使用期到期以前的期间,将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内的浓度控制部;和将利用处理液更换部进行的处理液的更换延期至规定的处理的开始时的延期部。此外,浓度控制部在通过延期部而使得处理液的更换被延期的期间也将浓度控制在适于规定的处理的浓度范围内。
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