[发明专利]用于处理衬底的方法和设备有效
| 申请号： | 201880067987.5 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111213227B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | J.韦查特;J.韦查特 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨忠;陈浩然 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种处理衬底或制造经处理的衬底的方法包括以下步骤：a)在第一压力的第一气氛中对衬底进行第一处理，b)随后，在第二压力的第二气氛中对经第一处理的衬底进行第二处理，其中，衬底的第二温度不同于第一温度，并且第二压力低于第一压力，c)在步骤a)与b)之间，将经第一处理的衬底从第一气氛锁定到第二气氛中，d)在锁定期间，将经第一处理的衬底从第一温度朝向第二温度加热或冷却。一种对应的衬底处理设备包括：a)第一处理站，b)第二处理站，c)负载锁定室，其互连在第一站输出端与第二站输入端之间；d)在负载锁定室中的受控热交换装置，其适于与负载锁定室中的经第一处理的衬底进行热交换。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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