[发明专利]对阻隔区具有屏障的电荷捕获结构在审
| 申请号： | 201880060886.5 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN111149205A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | C·M·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11578;H01L27/1157;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中所揭示的各种实施例包含具有电荷捕获结构的方法及设备，其中每一电荷捕获结构包含在所述电荷捕获结构的栅极与电荷捕获区上的阻隔电介质之间的介电屏障。在各种实施例中，所述电荷捕获结构中的每一者的所述介电屏障的材料可具有比氧化铝的介电常数大的介电常数。揭示了额外设备、系统及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 阻隔 具有 屏障 电荷 捕获 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
