[发明专利]三氯硅烷制造装置以及三氯硅烷的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880060343.3 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN111108065A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 弘田贤次;荻原克弥 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;B01D39/20
代理公司: 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 代理人: 刘金峰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的为防止由在过滤器元件(80)部分产生的盐酸所引起的腐蚀及应力腐蚀破裂。三氯硅烷制造装置(1)包括生成三氯硅烷的反应装置(2)、以及去除反应残渣的过滤器装置(3),并且所述过滤器装置(3)具备由耐腐蚀性材料构成的过滤器元件。
搜索关键词: 硅烷 制造 装置 以及 方法
【主权项】:
暂无信息
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