[发明专利]三氯硅烷制造装置以及三氯硅烷的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880060343.3 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN111108065A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 弘田贤次;荻原克弥 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;B01D39/20
代理公司: 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 代理人: 刘金峰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 硅烷 制造 装置 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种三氯硅烷制造装置,具备:

反应装置,其使用金属硅粉体来生成三氯硅烷;以及

过滤器装置,其从通过所述反应装置而生成的包含三氯硅烷及反应残渣的反应生成物中去除所述反应残渣;

其特征在于,

所述过滤器装置具备由耐腐蚀性材料构成的过滤器元件。

2.根据权利要求1所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,

所述耐腐蚀性材料包含1重量%以上的钼。

3.根据权利要求1或2所述的三氯硅烷制造装置,其特征在于,

所述耐腐蚀性材料为铬镍铁合金625或哈氏合金。

4.一种三氯硅烷的制造方法,其特征在于,

具有使用根据权利要求1至3中任一项所述的三氯硅烷制造装置来制造三氯硅烷的步骤。

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