[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质有效
申请号: | 201880059829.5 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN111096082B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 保井毅;舟木克典;室林正季;原田幸一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;C23C16/52;H01L21/31;H01L21/318 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 范胜杰;赵子翔 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明减少在处理室内对处理气体进行等离子体激励时产生的对处理室内壁等的溅射的发生。本发明提供一种基板处理装置,其具备:等离子体容器,其对处理气体进行等离子体激励;线圈,其被设置为卷绕在等离子体容器的外周,且构成为被供给高频电力,线圈形成为从一端到另一端之间的预定位置处的从线圈的内周到等离子体容器的内周为止的距离与其他位置处的从线圈的内周到等离子体容器的内周为止的距离不同,并且形成为施加到线圈的电压的驻波的振幅最大的位置处的从线圈的内周到等离子体容器的内周为止的距离最大。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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