[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，

上述基板处理装置具备：

等离子体容器，其对处理气体进行等离子体激励；

基板处理室，其与上述等离子体容器连通；

气体供给系统，其构成为向上述等离子体容器供给上述处理气体；以及

线圈，其被设置为卷绕在上述等离子体容器的外周，且构成为被供给高频电力，

上述线圈形成为，从一端到另一端之间的预定位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离与其他位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离不同，并且，施加到上述线圈的电压的驻波的振幅最大的位置处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最大。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述线圈形成为，在施加到上述线圈的电压的驻波的振幅最小的位置中的至少一个位置处，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述线圈形成为，在供给到上述线圈的电流的驻波的振幅最大的位置中的至少一个位置处，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

供给到上述线圈的电流的驻波的振幅最大的位置中的至少一个位置是上述线圈的中点，

上述线圈形成为，上述线圈的中点处的从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

供给到上述线圈的电流的驻波的振幅最大的位置包括上述线圈的一端和另一端，

上述线圈形成为，仅在从上述线圈的一端卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间、从上述线圈的另一端卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间、以及以上述线圈的中点为中央卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间中，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

上述线圈形成为，在以上述线圈的中点为中央卷绕上述等离子体容器的外周多圈的区间中，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

上述线圈形成为，仅在以上述线圈的中点为中央卷绕上述等离子体容器的外周一圈的区间中，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离最小。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述线圈形成为，随着远离施加到上述线圈的电压的驻波的振幅最大的位置，从上述线圈的内周到上述等离子体容器的内周为止的距离变小。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述基板处理装置具备：

高频电源，其构成为向上述线圈供给高频电力；

传感器，其检测来自上述线圈的反射电力的值；

控制部，其构成为根据由上述传感器检测的上述反射电力的值来控制上述高频电源，以使得上述反射电力最小。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述线圈具有上述高频电力的波长的1倍的电长度。