[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201880058156.1 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111052397B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 菊池亨;大园修司;太田淳;座间秀昭;浅利伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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