[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201880058156.1 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111052397B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 菊池亨;大园修司;太田淳;座间秀昭;浅利伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法，
在衬底上形成活性层，
以能够与所述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域，
通过等离子体CVD在所述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层，
通过ALD在所述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层，
在所述第二金属氧化物层的表面形成栅电极，
在所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间形成富氢的中间层，
对所述中间层进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
通过对所述第一金属氧化物层进行氢等离子体处理来形成所述中间层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
通过在所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间形成氮化硅或氮氧化硅的层来形成所述中间层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
形成所述第一金属氧化物层的工序和形成所述氮化硅或氮氧化硅的层的工序在同一腔室内进行。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
形成所述第一金属氧化物层的工序和形成所述第二金属氧化物层的工序在真空环境中连续进行。
6.一种薄膜晶体管，具有：
栅电极；
活性层，所述活性层由多晶硅构成；
源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域与所述活性层电连接；以及
栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包含由氧化硅构成的第一金属氧化物层和由氧化铝构成的第二金属氧化物层，所述第一金属氧化物层配置于所述栅电极与所述活性层之间，所述第二金属氧化物层配置于所述第一金属氧化物层与所述栅电极之间，
所述栅极绝缘膜在所述第一金属氧化物层与所述第二金属氧化物层之间还包含中间层，
所述活性层与第一金属氧化物层的界面是富氢的。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，
所述中间层包含氮化硅。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，
所述中间层包含氮氧化硅。
9.根据权利要求7或8所述的薄膜晶体管，其中，
所述中间层的厚度为3nm以上10nm以下。
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