[发明专利]形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法在审
| 申请号： | 201880056124.8 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111051567A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | L·R·达哈尔;D·M·内尔森;J·倪;D·A·斯特里克勒;S·瓦拉纳斯 | 申请（专利权）人： | 皮尔金顿集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/54;C03C17/00;C23C16/453 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 英国兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法，包括提供移动的玻璃基材。形成气态混合物，其包括硅烷化合物、第一含氧分子、自由基清除剂以及含磷化合物和含硼化合物中的至少一种。气态混合物被引导朝向并沿着玻璃基材。气态混合物在玻璃基材上方反应，从而以150nm*m/min以上的沉积速率在玻璃基材上形成氧化硅涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氧化 涂层 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
