[发明专利]形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法

说明书

用于形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法，包括提供移动的玻璃基材。形成气态混合物，其包括硅烷化合物、第一含氧分子、自由基清除剂以及含磷化合物和含硼化合物中的至少一种。气态混合物被引导朝向并沿着玻璃基材。气态混合物在玻璃基材上方反应，从而以150nm*m/min以上的沉积速率在玻璃基材上形成氧化硅涂层。

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C.119(e)，本申请要求美国临时专利申请的权益，该临时专利申请于2017年8月31日提交且授予序列号62/552,713，在此通过引用将其全部内容合并于此。

背景技术

本发明总体上涉及形成氧化硅涂层的方法。特别地，本发明涉及用于在玻璃基材上形成氧化硅涂层的化学气相沉积(CVD)方法。本发明还涉及在其上形成有氧化硅涂层的涂覆玻璃制品。

氧化硅涂层沉积在玻璃基材上是已知的。但是，已知的用于生产氧化硅涂层的方法受到沉积方法的效率和/或反应性元素的粉末形成(预反应)的限制。因此，需要设计一种改进的方法用以在玻璃基材上方形成氧化硅涂层。

发明内容

下面描述用于形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法的实施方案。在一个实施方案中，用于形成氧化硅涂层的化学气相沉积方法包括提供移动的玻璃基材。形成包含含磷化合物和含硼化合物中的至少一种、硅烷化合物、第一含氧分子、以及自由基清除剂的气态混合物。将气态混合物引导朝向并沿着玻璃基材。气态混合物在玻璃基材上方反应，从而以150nm*m/min以上的沉积速率在玻璃基材上形成氧化硅涂层。

在一些实施方案中，玻璃基材是在浮法玻璃制造工艺中的玻璃带。

在其他实施方案中，氧化硅涂层形成于玻璃基材的基本处于大气压下的沉积表面上。

在其他实施方案中，当在其上形成氧化硅涂层时，玻璃基材的温度在1100°F(593℃)和1400°F(760℃)之间。

在一个实施方案中，气态混合物包含含磷化合物。

在一些实施方案中，含磷化合物是酯。

在一个实施方案中，含磷化合物是亚磷酸三乙酯。

在一些实施方案中，气态混合物包含小于0.7摩尔％的含磷化合物。

优选地，气态混合物中的含磷化合物与硅烷化合物的比例为1：100以上。

除非另有说明，否则本申请中列出的所有比率均以mol％表示。

在一些实施方案中，含磷化合物与硅烷化合物的比例为1：100至1：1。

在一些实施方案中，气态混合物包含含硼化合物。

在一些实施方案中，含硼化合物是酯。

在一个实施方案中，含硼化合物是三乙基硼烷。

在一些实施方案中，气态混合物中的含硼化合物与硅烷化合物的比例为1:10以上。

在一些实施方案中，气态混合物包含含磷化合物和含硼化合物。

在一些实施方案中，气态混合物中的含硼化合物与含磷化合物的比例为1：1以上。

在一些实施方案中，气态混合物中的含硼化合物与含磷化合物的比例为2：1以上。

优选地，硅烷化合物是甲硅烷，第一含氧分子是分子氧，自由基清除剂是乙烯。

在一些实施方案中，气态混合物还包含第二含氧分子。在该实施方案中，第一含氧分子是分子氧，而第二含氧分子是水蒸气。

在一些实施方案中，气态混合物包含比分子氧更多的水蒸气。