[发明专利]用于离子植入的装置、系统及方法有效
| 申请号： | 201880055977.X | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111108580B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 常胜武;法兰克·辛克莱;亚历山大·利坎斯奇;菲力浦·莱恩 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于离子植入的装置、系统及方法，所述用于离子植入的装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 植入 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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