[发明专利]用于等离子体沉积和处理的方法及系统有效
| 申请号： | 201880055751.X | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN111033689B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 彼得·F·范德莫伊伦 | 申请（专利权）人： | 彼得·F·范德莫伊伦 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/225;H01L21/67;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;张芸 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 离子束处理或植入系统包括发射具有给定间距的多个平行离子束的离子源。具有不均匀磁场的第一透镜磁体接收来自离子源的多个离子束并将多个离子束朝向共同点聚焦。系统可以可选地包括具有不均匀磁场的第二透镜磁体，该第二透镜磁体接收由第一透镜磁体聚焦的离子束并将该离子束重新导向，使得离子束具有平行的布置且在朝向目标基材的方向上具有比给定间距更靠近的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 沉积 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
