[发明专利]用于等离子体沉积和处理的方法及系统有效
申请号: | 201880055751.X | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN111033689B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 彼得·F·范德莫伊伦 | 申请(专利权)人: | 彼得·F·范德莫伊伦 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/225;H01L21/67;H05H1/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;张芸 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 等离子体 沉积 处理 方法 系统 | ||
1.一种离子束处理或植入系统,包括:
离子源,其发射具有给定间距的多个平行离子束;
第一透镜磁体,其具有不均匀磁场,并且接收来自所述离子源的所述多个平行离子束并将所述多个平行离子束朝向共同点聚焦,
其中,所述离子源包括:
微波源;
波导导管,在所述波导导管中具有多个开口,所述波导导管被联接至所述微波源,以将来自所述微波源的微波传输穿过所述多个开口;
等离子体室,其经由所述多个开口与所述波导导管连通,所述等离子体室经由所述多个开口接收来自所述波导导管的微波,所述等离子体室包括多个磁体,所述多个磁体布置在所述等离子体室的外壁中以在所述等离子体室中形成磁场,所述等离子体室进一步包括带电的盖,所述带电的盖位于所述等离子体室的与包含所述多个开口的一侧相反的一侧,所述带电的盖包括提取孔,所述多个平行离子束穿过所述提取孔被提取。
2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述第一透镜磁体包括磁极,所述磁极被构造成向所述多个平行离子束赋予弯曲,以使所述多个平行离子束朝向所述共同点转弯。
3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个平行离子束中的每一个是点形的。
4.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个平行离子束中的每一个是带状的。
5.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个平行离子束位于单个平面上。
6.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个平行离子束位于多个平行的平面上。
7.根据权利要求1所述的系统,其中,所述多个平行离子束具有交错偏移的布置。
8.根据权利要求1所述的系统,进一步包括偏转器,所述偏转器被联接至所述离子源,以使所述多个平行离子束偏转,从而进行离子能量和质量分离。
9.根据权利要求1所述的系统,其中,所述离子源包括多个离子提取器狭缝,所述多个离子提取器狭缝用于形成所述多个平行离子束。
10.根据权利要求1所述的系统,其中,所述离子源包括多个磁偏转器和分辨板,所述分辨板具有多个孔,每个孔与所述多个磁偏转器中的一个相关联,所述分辨板被构造成仅使具有选定质量与能量比的离子穿过。
11.根据权利要求1所述的系统,进一步包括柱塞,所述柱塞能移动地安装在所述波导导管中,从而允许调谐所述波导导管以总体上优化从所述多个开口出射的微波的功率。
12.根据权利要求11所述的系统,进一步包括次级开口和一组次级柱塞,所述次级开口与所述多个开口相反地形成在所述波导导管中,所述一组次级柱塞装配在所述次级开口中以放大穿过所述多个开口发射的辐射。
13.根据权利要求1所述的系统,进一步包括具有不均匀磁场的第二透镜磁体,所述第二透镜磁体接收由所述第一透镜磁体聚焦的离子束并将所述离子束重新导向,使得它们具有平行的布置且在朝向目标基材的方向上具有比所述给定间距更靠近的间距。
14.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第二透镜磁体被构造成过度校正由所述第一透镜磁体聚焦的离子束,并由此用作用于分辨具有类似质量与能量比的离子的分析仪磁体。
15.根据权利要求13所述的系统,其中,所述第一透镜磁体和/或所述第二透镜磁体的截面为楔形。
16.根据权利要求1所述的系统,进一步包括用于使所述离子束源或基材相对于彼此移动以增加所述基材的离子覆盖率的机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造