[发明专利]用于喷射低温流体的装置在审
申请号: | 201880053652.8 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN111344853A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 爱德华·D·汉兹利克;布里安·D·汉森 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创美国制造与工程公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;杨林森 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文公开了用于处理微电子基板的表面的系统和方法,具体地,涉及用于通过用来处理微电子基板的暴露表面的低温流体混合物扫描微电子基板的装置和方法。具体地,本文公开了用于使流体混合物膨胀的改进的喷嘴设计。在一个实施方式中,喷嘴设计包括两个喷嘴件,这两个喷嘴件被组合以形成单个喷嘴设计,在该单个喷嘴设计中,这两个件略微不对准以形成独特的孔口设计。在另一实施方式中,这两个件被组合并且沿着流体导管的公共轴线对准。然而,偏移件被插入在这两个件之间,并且偏移件具有与另外两个件的流动导管不对准的孔。 | ||
搜索关键词: | 用于 喷射 低温 流体 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造