[发明专利]用于喷射低温流体的装置在审
| 申请号: | 201880053652.8 | 申请日: | 2018-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN111344853A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
| 发明(设计)人: | 爱德华·D·汉兹利克;布里安·D·汉森 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创美国制造与工程公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;杨林森 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 喷射 低温 流体 装置 | ||
1.一种用于处理微电子基板的装置,包括:
气体输送部件,包括:
气体输送导管,其沿着所述气体输送部件的纵向轴线被设置;以及
离开孔口,其被设置在气体输送通道的一端处;
气体膨胀部件,其耦接至所述气体输送部件的一端,所述气体部件包括:
气体流动导管,其沿着所述气体膨胀部件被设置;以及
进入孔口,其被设置在所述气体流动导管的一端处并与所述离开孔口相对,所述进入孔口从所述气体输送部件的纵向轴线偏离中心。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述气体输送部件和所述气体膨胀部件的组合对所述气体输送导管形成气体流动阻碍。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述气体流动阻碍延伸穿过所述气体输送导管的一部分,所述一部分的表面积小于或等于所述气体膨胀部件的表面积。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述气体输送部件和所述气体膨胀部件的组合在所述气体输送导管和所述气体流动导管的接口处形成气流悬垂。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述气流悬垂使得所述气体流动导管与所述气体输送导管之间的接口的一部分处的横向气体流动成为可能。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述离开孔口和所述进入孔口包括相等的直径大小。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述离开孔口和所述进入孔口包括不相等的直径大小。
8.一种装置,包括:
气体输送部件,包括:
气体输送通道,其沿着所述气体输送部件的纵向轴线被设置;以及
离开孔口,其被设置在所述气体输送通道的一端处;
气体膨胀部件,其耦接至所述气体输送部件的一端,所述气体部件包括与所述离开孔口相对的进入孔口,所述进入孔口沿着所述气体输送通道的纵向轴线与所述离开孔口对准;以及
偏移板,其被设置在所述气体输送部件与所述气体膨胀部件之间,所述偏移板包括从所述气体输送部件的纵向轴线偏离中心的偏移孔口。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述离开孔口、所述进入孔口和所述偏移孔口包括相似或相同大小的直径。
10.根据权利要求8所述的装置,其中,所述偏移孔口包括小于所述离开孔口的离开直径和所述进入孔口的进入直径的直径。
11.根据权利要求8所述的装置,其中,所述偏移板包括在0.5mm和1.5mm之间的厚度。
12.根据权利要求8所述的装置,其中,所述偏移板包括1.0mm的厚度。
13.根据权利要求8所述的装置,其中,所述进入孔口包括在0.125mm和5mm之间的直径。
14.根据权利要求13所述的装置,其中,所述离开孔口包括在0.125mm和5mm之间的直径。
15.根据权利要求14所述的装置,其中,所述偏移孔口包括在0.125mm和5mm之间的直径。
16.一种装置,包括:
气体输送部件,包括:
气体输送通道,其沿着所述气体输送部件的纵向轴线被设置;以及
离开孔口,其被设置在所述气体输送通道的一端处;
气体膨胀部件,其耦接至所述气体输送部件的一端,所述气体部件包括与所述离开孔口相对的进入孔口,所述进入孔口沿着所述气体输送通道的纵向轴线与所述离开孔口对准;以及
居中板,其被设置在所述气体输送部件与所述气体膨胀部件之间,所述居中板包括以所述气体输送部件的纵向轴线为中心的居中孔口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





