[发明专利]使用目标分解的装置上计量有效
| 申请号： | 201880052739.3 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111052329B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | J·亨奇;A·吉里纽;A·库兹涅佐夫 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01T1/29;G01T1/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中呈现用于装置上结构的较高效X射线散射测量术测量的方法及系统。对测量区上方的一或多个结构的X射线散射测量术测量包含将所述一或多个结构分解成多个子结构、将所述测量区分解成多个子区或进行所述两个操作。独立地模拟所述经分解结构、测量区或两者。组合所述独立模拟的经分解结构中的每一者的散射贡献以模拟所述测量区内的所述所测量结构的实际散射。在另一方面中，采用包含一或多个附带结构的经测量强度及经建模强度来执行所关注结构的测量。在另一些方面中，采用测量分解来训练测量模型且优化特定测量应用的测量配方。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 目标 分解 装置 计量 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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