[发明专利]使用目标分解的装置上计量

权利要求书

1.一种基于x射线散射测量术的计量系统，其包括：

x射线照射源，其经配置以提供被引导到在测量区内安置于半导体晶片上的一或多个结构的一定量的x射线照射光；

检测器，其经配置以响应于所述一定量的x射线照射光而检测从所述半导体晶片反射或透射穿过所述半导体晶片的一定量的x射线光，且产生指示从所述一或多个结构的经测量散射响应的多个输出信号；及

计算系统，其经配置以：

将所述一或多个结构分解成多个子结构，将所述测量区分解成多个子区，或将所述一或多个结构分解成多个子结构且将所述测量区分解成多个子区；

产生与所述多个子结构中的每一者相关联的结构模型，产生与所述多个子区中的每一者相关联的结构模型，或产生与所述多个子结构中的每一者相关联的结构模型且产生与所述多个子区中的每一者相关联的结构模型；

独立地产生与所述结构模型中的每一者相关联的模拟散射响应；

组合所述模拟散射响应中的每一者以产生经组合模拟散射响应；及

基于所述经组合模拟散射响应及所述经测量散射响应而确定与所述一或多个结构相关联的一或多个所关注参数的值。

2.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述多个子结构包含具相同周期性的不同周期性形状。

3.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述多个子结构包含具有不同周期性的不同周期性形状。

4.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述多个子结构包含以几乎周期性方式重复多次的形状。

5.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述多个子结构包含具有相对小周期的第一结构及具有为所述小周期的整数倍数的相对大周期的第二结构。

6.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述多个子区中的每一者与单个结构或所述单个结构被分解成的多个子结构相关联。

7.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述多个子区中的每一者对所述检测器处的所述经组合模拟散射响应的强度的贡献与每一子区的面积成比例地缩放。

8.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述产生与所述结构模型中的每一者相关联的所述模拟散射响应涉及使用电磁建模解算器对与每一结构模型相关联的散射场的计算。

9.根据权利要求8所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述产生与所述结构模型中的每一者相关联的所述模拟散射响应涉及通过系统模型传播所述散射场以在所述检测器处达成与每一结构模型相关联的所述模拟散射响应。

10.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述产生所述经组合模拟散射响应涉及以相干方式、以非相干方式或以其组合方式组合所述模拟散射响应中的每一者。

11.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述计算系统进一步经配置以：

将所述一或多个所关注参数的所述值的指示传递到制作工具，所述指示致使所述制作工具调整所述制作工具的一或多个过程控制参数的值。

12.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中以多个入射角、方位角或两者将所述一定量的x射线照射光引导到所述半导体晶片上的测量光点。

13.根据权利要求1所述的基于x射线散射测量术的计量系统，其中所述x射线照射源进一步经配置而以多个不同能级提供被引导到所述半导体晶片上的测量光点的所述一定量的x射线照射光。