[发明专利]三维NOR存储器阵列架构及其制造方法在审
| 申请号： | 201880052556.1 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111033625A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | E.哈拉里;S.B.赫纳;W-Y.钱 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器结构包括：半导体衬底；在半导体衬底的表面上方形成的有源条带的第一堆叠体和有源条带的第二堆叠体；储存层；以及多个导体，每个导体沿实质上垂直于平坦表面的第三方向纵向延伸，从而在每个有源条带中形成至少一个NOR串，每个NOR串包括多个储存晶体管。本发明还提供了支柱结构，该支柱结构有助于在高纵横比的结构上进行蚀刻步骤，其增强了高纵横比的存储器堆叠体中的机械稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nor 存储器 阵列 架构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日升存储公司，未经日升存储公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880052556.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带叶轮和星形轮的食品泵
- 下一篇：提高利用蒸气加热的效率的方法及抄纸方法
