[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880052063.8 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111033751B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 高桥美咲;原田祐一;横山浩大 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/07;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具有：栅极流道部；以及设置于栅极流道部的下方的第1导电型的阱区，二极管区在半导体基板上具有多个第1接触部；第1导电型的阳极区；以及从半导体基板的下表面起设置到预先确定的深度范围的第2导电型的阴极区，阱区在第1方向上与二极管区接触，在将第1方向上相互对置的阱区的端部、多个第1接触部的至少1个第1接触部的端部和阴极区的端部虚拟地投影于半导体基板的上表面的情况下，作为阱区的端部与阴极区的端部之间的最短距离的第1距离比作为阱区的端部与至少1个第1接触部的端部之间的最短距离的第2距离大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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