[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，具有：栅极流道部；以及设置于栅极流道部的下方的第1导电型的阱区，二极管区在半导体基板上具有多个第1接触部；第1导电型的阳极区；以及从半导体基板的下表面起设置到预先确定的深度范围的第2导电型的阴极区，阱区在第1方向上与二极管区接触，在将第1方向上相互对置的阱区的端部、多个第1接触部的至少1个第1接触部的端部和阴极区的端部虚拟地投影于半导体基板的上表面的情况下，作为阱区的端部与阴极区的端部之间的最短距离的第1距离比作为阱区的端部与至少1个第1接触部的端部之间的最短距离的第2距离大。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

已知在1个半导体基板具有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)区域和FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)区域的反向导通型IGBT(Reverse Conducting IGBT。以下记载为RC-IGBT)(例如参照专利文献1～8)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2017/155122号公报

专利文献2：国际公开2016/098199号公报

专利文献3：日本特开2017-135255号公报

专利文献4：日本特开2017-103400号公报

专利文献5：日本特开2016-197678号公报

专利文献6：日本特开2011-243694号公报

专利文献7：国际公开2017/141998号公报

专利文献8：日本特开2017-28244号公报

发明内容

技术问题

在RC-IGBT中，期望防止FWD区中的击穿耐量降低。

技术方案

在本发明的第1方式中，提供在1个半导体基板具有晶体管区和二极管区的半导体装置。半导体装置可以具有栅极流道部和第1导电型的阱区。栅极流道部可以向晶体管区供给栅极电位。阱区可以设置于栅极流道部的下方。二极管区可以具有多个第1接触部、第1导电型的阳极区和第2导电型的阴极区。多个第1接触部可以在半导体基板上分别沿着第1方向延伸。多个第1接触部可以在半导体基板上在第2方向上以相互分离的方式设置。第2方向可以与第1方向正交。阳极区可以介由多个第1接触部与发射电极电连接。发射电极可以设置于半导体基板的上方。阳极区可以具有比阱区中的第1导电型的掺杂剂浓度低的掺杂剂浓度。阴极区可以从半导体基板的下表面起设置在预先确定的深度范围。阱区可以在第1方向上与二极管区接触。在将第1方向上相互对置的阱区的端部、多个第1接触部的至少1个第1接触部的端部和阴极区的端部虚拟地投影于半导体基板的上表面的情况下，作为阱区的端部与阴极区的端部之间的最短距离的第1距离可以比作为阱区的端部与至少1个第1接触部的端部之间的最短距离的第2距离大。

半导体基板可以具有第2导电型的漂移区和第2导电型的蓄积区。漂移区在半导体基板中可以位于比阳极区靠近下方的位置。蓄积区可以至少设置于二极管区。蓄积区可以在半导体基板的深度方向上位于阳极区与漂移区之间。蓄积区的第1方向的端部可以位于至少1个第1接触部的端部与阴极区的端部之间。

第1距离可以比从半导体基板的上表面到阱区的底部为止的深度大，且比从半导体基板的上表面到下表面为止的厚度小。第2距离可以为第1距离的40％以上且60％以下。第2距离可以比第1距离的一半小。