[发明专利]发光装置和发光装置阵列有效
| 申请号： | 201880046230.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110892597B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 御友重吾;滨口达史;中岛博;伊藤仁道;佐藤进 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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