[发明专利]发光装置和发光装置阵列

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

通过层压以下层而获得的层压结构：

第一化合物半导体层，具有第一表面和面向所述第一表面的第二表面，

有源层，面向所述第一化合物半导体层的所述第二表面，以及

第二化合物半导体层，具有面向所述有源层的第一表面和面向其第一表面的第二表面；

第一光反射层，设置在所述第一化合物半导体层的第一表面侧；

第二光反射层，设置在所述第二化合物半导体层的第二表面侧；以及

光会聚/发散改变装置，其中，

所述第一光反射层形成在凹面镜部分上，

所述第二光反射层具有平坦形状，并且

当在所述有源层中生成的光被发射到外部时，光入射到所述光会聚/发散改变装置之前的光会聚/发散状态不同于光穿过所述光会聚/发散改变装置之后的光会聚/发散状态,

经由所述第一光反射层发射光，并且

所述光会聚/发散改变装置被设置在所述第一光反射层的光发射侧,

与所述第一光反射层的光轴上的曲率中心相比，所述光会聚/发散改变装置的光轴上的曲率中心更靠近所述光会聚/发散改变装置。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，当在所述有源层中生成的光穿过所述光会聚/发散改变装置时，与入射到光会聚/发散改变装置上之前的光相比光被会聚得更多。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述光会聚/发散改变装置包括凸透镜。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，在光轴上，从所述光会聚/发散改变装置的光发射表面到所述第一光反射层的光发射表面的距离为1×10^-6m至1×10^-3m。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，当假设所述第一光反射层的平面形状为圆形时，所述圆形具有1×10^-4m或更小的直径。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述光会聚/发散改变装置具有沿着光轴的1×10^-6m至1×10^-3m的厚度。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，从所述有源层到所述第一光反射层的距离为1×10^-5m至5×10^-4m。

8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，沿着光轴从所述第一光反射层到所述第二光反射层的距离为1×10^-5m或更大。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述层压结构包括基于GaN的化合物半导体。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光元件包括表面发射激光元件。