[发明专利]半导体显示器、光电子半导体构件和其制造方法有效
申请号: | 201880045189.2 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN110870074B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | S.赫尔曼 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/08;H01L33/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在实施方式中,半导体显示器(10)包括多个半导体柱(2)以及第一和第二电接触片(3、4)。半导体柱(2)分别包括第一导电类型的半导体核(21)和与第一导电类型不同的第二导电类型的半导体壳(23)以及位于它们之间的用于产生辐射的有源层(22)。半导体柱(2)分别包括通电壳(24),所述通电壳为了通电施加到相应的半导体壳(23)上。半导体柱(2)单独或以小组(29)通过第一和第二电接触片(3、4)彼此独立地被电气控制。 | ||
搜索关键词: | 半导体 显示器 光电子 构件 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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