[发明专利]研磨方法有效
| 申请号： | 201880043631.8 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110832622B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 青木一晃 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种研磨方法，其为供给研磨剂，并同时使以研磨头保持的半导体硅晶圆在贴附于平板的研磨布上滑动，从而进行研磨的研磨方法，其中，对半导体硅晶圆依次实施一次研磨、二次研磨、精研磨时，二次研磨由使用含有游离磨粒且不含水溶性高分子剂的碱基的研磨剂的研磨、以及后续的使用含有水溶性高分子剂的研磨剂的冲洗研磨构成，冲洗研磨由两个阶段的研磨构成，供给含有水溶性高分子剂的研磨剂并同时实施第一阶段的冲洗研磨，然后切换为水溶性高分子剂的平均分子量比第一阶段的研磨剂大的研磨剂而进行供给，并同时实施第二阶段的冲洗研磨。由此，可提供一种晶圆表面的微小缺陷少，DIC缺陷也少，且表面粗糙度良好的半导体硅晶圆的研磨方法。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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