[发明专利]研磨方法

权利要求书

1.一种研磨方法，其为供给研磨剂，并同时使以研磨头保持的半导体硅晶圆在贴附于平板的研磨布上滑动，从而进行所述半导体硅晶圆的研磨的研磨方法，所述研磨方法的特征在于，

对所述半导体硅晶圆依次实施一次研磨、二次研磨、精研磨时，

所述二次研磨由使用含有游离磨粒且不含有水溶性高分子剂的碱基的研磨剂的研磨、以及后续的使用含有水溶性高分子剂的研磨剂的冲洗研磨构成，

所述冲洗研磨由两个阶段的研磨构成，供给含有水溶性高分子剂的研磨剂并同时实施第一阶段的冲洗研磨，然后切换为水溶性高分子剂的平均分子量比第一阶段的研磨剂大的研磨剂而进行供给并同时实施第二阶段的冲洗研磨，

所述第一阶段的冲洗研磨的研磨剂含有平均分子量为20万以上且小于70万的水溶性高分子剂，所述第二阶段的冲洗研磨的研磨剂含有平均分子量为70万以上150万以下的水溶性高分子剂。

2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述游离磨粒为胶态二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述水溶性高分子剂为羟乙基纤维素。

4.根据权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，所述水溶性高分子剂为羟乙基纤维素。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨方法，其特征在于，所述第一阶段的冲洗研磨中的研磨负荷、平板旋转速度及研磨头旋转速度的值在使用所述碱基的研磨剂进行研磨时的值的±30％以内。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨方法，其特征在于，所述第二阶段的冲洗研磨中的研磨负荷、平板旋转速度及研磨头旋转速度的值为使用所述碱基的研磨剂进行研磨时的值的70％以下。

7.根据权利要求5所述的研磨方法，其特征在于，所述第二阶段的冲洗研磨中的研磨负荷、平板旋转速度及研磨头旋转速度的值为使用所述碱基的研磨剂进行研磨时的值的70％以下。