[发明专利]氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜在审
| 申请号： | 201880042939.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110800082A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朴載赫;金大根;石惠媛;金秉基 | 申请（专利权）人： | IONES株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的各种实施例涉及一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，要解决的技术问题在于提供一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，不仅内部无气孔或气孔极小且具有纳米结构，光透过率高，而且硬度及接合强度高，可以保护显示装置的透明窗口。为此，本发明各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法包括以下步骤：提供具有0.1μm至12μm粒径范围的预处理后YOF粉末的；接收从移送气体供给部供给移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末碰撞到工序腔室内的基材并被破碎(喷射)，在所述基材形成氟化氧化钇涂覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 涂覆膜 氧化钇 氟化 预处理 气溶胶 气体供给部 粉末供给 光透过率 基材形成 纳米结构 透明窗口 显示装置 接合 基材 粒径 喷射 破碎 室内 | ||
【主权项】：
1.一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供包含钇(Y)、氧(O)及氟(F)的预处理前YOF粉末；/n对所述预处理前YOF粉末进行预处理而提供预处理后YOF粉末；/n接收从移送气体供给部供给的移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及/n使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末，碰撞到工序腔室内的基材并被破碎，在所述基材上形成YOF涂覆膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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