[发明专利]氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜

权利要求书

1.一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供包含钇(Y)、氧(O)及氟(F)的预处理前YOF粉末；

对所述预处理前YOF粉末进行预处理而提供预处理后YOF粉末；

接收从移送气体供给部供给的移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及

使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末，碰撞到工序腔室内的基材并被破碎，在所述基材上形成YOF涂覆膜。

2.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理后YOF粉末具有0.1μm至12μm的粒径范围。

3.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理，是在粉碎预处理前YOF粉末后以100℃至1000℃温度进行热处理而实现。

4.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理，是将预处理前YOF粉末以100℃至1000℃温度进行热处理而实现。

5.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

当所述YOF涂覆膜的厚度为0.5μm至20μm时，所述YOF涂覆膜对可见光线的光透过率为50％至95％。

6.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述YOF涂覆膜的雾度为0.5％至5％。

7.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述YOF涂覆膜的硬度为6GPa至12Gpa。

8.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述YOF涂覆膜的气孔率为0.01％至1％，硬度为6GPa至12Gpa，耐电压特性为50V/μm至150V/μm。

9.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的能量色散X射线谱成分比为5：4：7。

10.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的能量色散X射线谱成分比为1：1：1。

11.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的晶系包括斜方晶系。

12.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的晶系包括三方晶系。

13.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述基材是显示装置的透明窗口或暴露于等离子体环境的零件。

14.根据权利要求13所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述透明窗口是玻璃基板、塑料基板、蓝宝石基板或石英基板，

所述零件是用于制造半导体或显示装置的工序腔室的内部零件。

15.根据权利要求14所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，

所述零件是静电卡盘、加热器、腔室衬里、喷头、化学气相沉积用舟皿、聚焦环、壁衬、屏蔽罩、冷垫、源头、外衬、沉积屏蔽罩、上部衬、排气板、边缘环及掩模框中的任一个。