[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法有效
| 申请号： | 201880039087.X | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110741483B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 延斯·埃贝克 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：‑外延的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行中产生电磁辐射(S)；以及‑钝化层(3)，所述钝化层包括氧化镁和氮化镁，其中钝化层(3)施加在半导体层序列(1)的侧面(1c)上并且钝化层(3)至少覆盖有源区(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，具有：/n-外延的半导体层序列(1)，所述外延的半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行中产生电磁辐射(S)，以及/n-钝化层(3)，所述钝化层包括氧化镁和氮化镁，其中/n所述钝化层(3)施加在所述半导体层序列(1)的侧面(1c)上，并且所述钝化层(3)至少覆盖所述有源区(2)，其中包括氧化镁和氮化镁的所述钝化层与所述外延的半导体层序列具有共同的边界面。/n
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