[发明专利]发光二极管芯片和用于制造发光二极管芯片的方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，具有：

-外延的半导体层序列(1)，所述外延的半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区在运行中产生电磁辐射(S)，以及

-钝化层(3)，所述钝化层包括氧化镁和氮化镁，其中

所述钝化层(3)施加在所述半导体层序列(1)的侧面(1c)上，并且所述钝化层(3)至少覆盖所述有源区(2)，其中包括氧化镁和氮化镁的所述钝化层与所述外延的半导体层序列具有共同的边界面，

其中所述外延的半导体层序列(1)基于III/V族半导体化合物材料，

其中在所述外延的半导体层序列(1)和所述钝化层(3)的边界面处存在所述半导体化合物材料的氮化物。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，

其中所述III/V族半导体化合物材料是磷化物半导体化合物材料。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，

其中所述磷化物半导体化合物材料是In_xAl_yGa_1-x-yP，其中0≤x≤1，0≤y≤1和x+y≤1。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，

其中所述外延的半导体层序列(1)在与所述钝化层(3)的边界面处具有铟氮键、铝氮键、磷氮键和/或镓氮键。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光二极管芯片，

其中所述钝化层(3)具有从1nm到1000nm的层厚度，其中包括边界值。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光二极管芯片，

其中所述钝化层(3)具有从5nm到100nm的层厚度，其中包括边界值。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的发光二极管芯片，

所述发光二极管芯片的边长不超过500μm。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的发光二极管芯片，

所述发光二极管芯片的边长不超过100μm。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光二极管芯片，

其中在所述钝化层(3)之上设置有保护层(9)，所述保护层包括氮化硅或由氮化硅构成。

10.一种用于制造发光二极管芯片的方法，具有如下步骤：

A)提供外延的半导体层序列(1)，所述外延的半导体层序列具有有源区(2)，所述有源区适合于产生电磁辐射(S)，

B)将包括氮化镁的层(10)施加到所述半导体层序列的侧面(1c)上，其中将氮化镁直接接触地施加到所述半导体层序列的侧面(1c)上，

D)将在步骤B)中制造的由半导体层序列(1)和包括氮化镁的层(10)构成的复合件回火，以形成包括氧化镁和氮化镁的钝化层(3)。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中所述外延的半导体层序列(1)基于磷化物半导体化合物材料In_xAl_yGa_1-x-yP，其中0≤x≤1，0≤y≤1和x+y≤1，并且在步骤D)中在所述半导体层序列(1)和所述钝化层(3)之间的边界面处形成铟氮键、磷氮键、铝氮键和/或镓氮键。

12.根据权利要求10或11所述的方法，

其中所述半导体层序列(1)的侧面(1c)通过刻蚀产生。

13.根据权利要求10或11所述的方法，

其中，在步骤B)中通过溅射施加氮化镁。

14.根据权利要求10或11所述的方法，

其中在步骤B)与步骤D)之间进行步骤C)：C)将保护层(9)施加到所述包括氮化镁的层(10)上。