[发明专利]谐振腔增强的图像传感器在审
| 申请号： | 201880036585.9 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110800110A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吉·迈南 | 申请（专利权）人： | AMS有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 奥地利普*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体图像传感器器件，包括具有主表面(MS)和相对的后表面(RS)的半导体层(SL)，以及主表面上的电荷载流子生成部件(CG)。电荷载流子生成部件布置在半导体层外的顶部反射层(R1)与底部反射层(R2)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷载流子 半导体层 生成部件 反射层 主表面 半导体图像传感器器件 后表面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体图像传感器器件，包括：/n半导体层，其具有主表面(MS)和相反的后表面(RS)，以及/n位于所述主表面(MS)处的电荷载流子生成部件(CG)，所述电荷载流子生成部件(CG)对辐射敏感，/n其特征在于/n所述电荷载流子生成部件(CG)布置在顶部反射层(R1)与底部反射层(R2)之间，并且/n所述顶部反射层(R1)与底部反射层(R2)布置在所述半导体层外部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
