[发明专利]谐振腔增强的图像传感器

权利要求书

1.一种半导体图像传感器器件，包括：

半导体层，其具有主表面(MS)和相反的后表面(RS)，以及

位于所述主表面(MS)处的电荷载流子生成部件(CG)，所述电荷载流子生成部件(CG)对辐射敏感，

其特征在于

所述电荷载流子生成部件(CG)布置在顶部反射层(R1)与底部反射层(R2)之间，并且

所述顶部反射层(R1)与底部反射层(R2)布置在所述半导体层外部。

2.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中

所述顶部反射层(R1)被设置用于辐射的入射，并且被布置在所述主表面(MS)上方，并且所述底部反射层(R2)布置在所述后表面(RS)上方。

3.根据权利要求1所述的半导体图像传感器器件，其中

所述顶部反射层(R1)被设置用于辐射的入射并且布置在所述后表面(RS)上方，并且所述底部反射层(R2)布置在所述主表面(MS)上方。

4.根据权利要求1至3之一所述的半导体图像传感器器件，还包括：

光电二极管，其形成所述电荷载流子生成部件(CG)，

第一导电类型的区域，其位于所述主表面(MS)处的半导体层中，

与第一导电类型相反的第二导电类型的区域，所述第二导电类型的区域与所述第一导电类型的区域相邻，由此形成所述光电二极管，

感测节点(SN)，其位于所述主表面(MS)处或其附近，以及

传输门(TX)，其位于所述光电二极管与所述感测节点之间的主表面(MS)处。

5.根据权利要求1至4之一所述的半导体图像传感器器件，还包括：

在所述主表面(MS)上或上方的电介质层(ILD)，所述电介质层(ILD)布置在所述半导体层与所述顶部反射层(R1)之间，并且所述顶部反射层(R1)被设置用于辐射的入射。

6.根据权利要求1至4之一所述的半导体图像传感器器件，还包括：

在所述主表面(MS)上或上方的电介质层(ILD)，所述电介质层(ILD)布置在所述半导体层与所述底部反射层(R2)之间，并且所述顶部反射层(R1)被设置用于辐射的入射。

7.根据权利要求1至4之一所述的半导体图像传感器器件，还包括：

在所述主表面(MS)上或上方的电介质层(ILD)，所述顶部反射层(R1)和底部反射层(R2)之一嵌入在所述电介质层(ILD)中，并且

所述顶部反射层(R1)被设置用于辐射的入射。

8.根据权利要求5至7之一所述的半导体图像传感器器件，还包括：

嵌入在所述电介质层(ILD)中的金属化层(M1、M2、M3)，

所述顶部反射层(R1)和底部反射层(R2)之一由所述金属化层中的金属化层(M1)形成，并且

所述顶部反射层(R1)被设置用于辐射的入射。

9.根据权利要求1至8之一所述的半导体图像传感器器件，其中

所述顶部反射层(R1)和底部反射层(R2)中的至少一个包括电介质层序列。

10.根据权利要求9所述的半导体图像传感器器件，其中，所述电介质层序列形成布拉格镜。

11.根据权利要求1至10之一所述的半导体图像传感器器件，其中

所述顶部反射层(R1)和底部反射层(R2)形成谐振腔的相对边界，所述谐振腔调谐到红外辐射的波长。

12.根据权利要求1至10之一所述的半导体图像传感器器件，其中

所述顶部反射层(R1)和底部反射层(R2)形成谐振腔的相对边界，所述谐振腔调谐到900nm至980nm的波长。