[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880036426.9 | 申请日： | 2018-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN110692140B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 小幡智幸;吉田崇一;今川铁太郎;百田圣自 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其是具有晶体管部和二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；发射电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；第一导电型的发射区，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧；栅极沟槽部，其在晶体管部设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且与发射区接触；发射极沟槽部，其在二极管部设置于半导体基板的上表面侧，并与发射电极电连接；以及虚设沟槽部，其设置于半导体基板的上表面侧，与栅极金属层电连接并且不与发射区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且所述半导体装置具备：/n栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；/n发射电极，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；/n第一导电型的发射区，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧；/n栅极沟槽部，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且与所述发射区接触；/n发射极沟槽部，其在所述二极管部设置于所述半导体基板的上表面侧，并与所述发射电极电连接；以及/n虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且不与所述发射区接触。/n
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