[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且所述半导体装置具备：

栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；

发射电极，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；

第一导电型的发射区，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧；

栅极沟槽部，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且与所述发射区接触；

发射极沟槽部，其在所述二极管部设置于所述半导体基板的上表面侧，并与所述发射电极电连接；以及

虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且不与所述发射区接触，

所述晶体管部具有与边缘终端区邻接的边缘邻接区，

所述虚设沟槽部设置于所述边缘邻接区。

2.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且所述半导体装置具备：

栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；

发射电极，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；

第一导电型的发射区，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧；

栅极沟槽部，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且与所述发射区接触；

发射极沟槽部，其在所述二极管部设置于所述半导体基板的上表面侧，并与所述发射电极电连接；以及

虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且不与所述发射区接触，

在将所述栅极沟槽部的条数设为G，且将所述虚设沟槽部的条数设为D时，

0.01＜D/(D+G)＜0.2成立。

3.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且所述半导体装置具备：

栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；

发射电极，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；

第一导电型的发射区，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧；

栅极沟槽部，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且与所述发射区接触；

发射极沟槽部，其在所述二极管部设置于所述半导体基板的上表面侧，并与所述发射电极电连接；以及

虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且不与所述发射区接触，

所述栅极沟槽部、所述发射极沟槽部和所述虚设沟槽部沿着预先设定的排列方向排列，

所述二极管部的所述排列方向上的宽度大于所述晶体管部的所述排列方向上的宽度。

4.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有晶体管部和二极管部，并且所述半导体装置具备：

栅极金属层，其设置于半导体基板的上表面的上方；

发射电极，其设置于所述半导体基板的上表面的上方；

第一导电型的发射区，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧；

栅极沟槽部，其在所述晶体管部设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且与所述发射区接触；

发射极沟槽部，其在所述二极管部设置于所述半导体基板的上表面侧，并与所述发射电极电连接；以及

虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的上表面侧，与所述栅极金属层电连接并且不与所述发射区接触，

所述半导体装置在所述晶体管部的所述半导体基板的上表面侧还具备浓度比所述发射区的浓度高的第一导电型的蓄积区，

所述蓄积区不设置在与所述虚设沟槽部邻接的台面部。