[发明专利]图案化装置在审
| 申请号： | 201880035591.2 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN110692016A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | M·A·范德凯克霍夫;L·C·德温特;E·范塞腾 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分，吸收器部分包括第一层和第二层，吸收器部分的第一层包括第一材料，该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收器 反射 反射器 入射辐射 辐射 第一材料 相位调谐 第一层 配置 图案化装置 第二材料 光刻设备 相消干涉 相移 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，所述装置包括：/n吸收器部分，被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射，所述吸收器部分包括第一层和第二层，所述吸收器部分的所述第一层包括第一材料，所述第一材料与所述吸收器部分的所述第二层的第二材料不同，/n反射器部分，被布置在所述吸收器部分下方，所述反射器部分被配置为反射入射辐射；以及/n相位调谐部分，被布置在所述反射器部分与所述吸收器部分之间，所述相位调谐部分被配置为在由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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