[发明专利]图案化装置

说明书

一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分，吸收器部分包括第一层和第二层，吸收器部分的第一层包括第一材料，该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月1日提交的欧洲专利申请No.17173891.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置以及该图案化装置的制造方法。

背景技术

光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案化装置(例如，掩模)投射到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻设备用来将图案投射到衬底上的辐射的波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以被用于在衬底上形成比传统光刻设备(例如，可以使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。

图案化装置可以以二元掩模的形式而被提供，其包括在顶部具有反射部分和吸收部分的衬底。吸收部分可以包括约60至70nm的厚度。吸收部分的这种厚度对于光刻设备的性能可能是有问题的。相对于吸收部分的厚度，要被成像的特征的尺寸可能较小，这可能导致复杂的三维衍射或阴影效应。例如，由于EUV辐射在图案化装置上的入射角(可能是非零的)，因此可以在衬底上观察到水平线和竖直线的很大差异，即所谓的H-V差异。另外，吸收部分可以将非远心性引入到由图案化装置投射的辐射。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分，吸收器部分包括第一层和第二层，吸收器部分的第一层包括第一材料，该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。

通过为吸收器部分提供包括与第二层的第二材料不同的第一材料的第一层，吸收器部分的反射率可以被改变。这允许吸收器部分的厚度相对于包括单个材料的吸收器部分减小。

相位调谐部分可以包括被选择为使得由相位调谐部分引起的相移可以在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相消干涉的材料和/或厚度。

第一材料可以包括与第二材料的一个或多个特性不同的一个或多个光学特性。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的反射率可以低于反射器部分的反射率。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分可以包括在约1％至20％的范围内的反射率。

第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的厚度可以等于或小于25nm或30nm。通过选择第一材料和第二材料使得吸收器部分的厚度可以等于或小于25nm或30nm，阴影效应或非远心性效应可以被减小，这可以提高光刻设备的性能。

吸收器部分可以包括多个第一层和/或多个第二层。

多个第一层中的第一层/每个第一层可以与多个第二层中的第二层/每个第二层交替地布置。