[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201880035561.1 | 申请日： | 2018-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN110678768A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;H01L43/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军;李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；感应部30，其具备感应磁场变化的感应元件31，所述感应元件31由软磁体构成，并且与薄膜磁铁20相对配置，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，长边方向为薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性；和控制层102，其相对于薄膜磁铁20被配置在设置有感应元件31这侧的相反侧，并将薄膜磁铁20的磁各向异性控制在面内方向。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜磁铁 感应元件 长边 磁各向异性 内方向 单轴磁各向异性 磁传感器 方向交叉 感应磁场 相对配置 磁通量 感应部 控制层 软磁体 相反侧 硬磁体 短边 穿过 配置 | ||
【主权项】：
1.磁传感器，其具备：/n薄膜磁铁，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；/n感应部，其具备感应磁场变化的感应元件，所述感应元件由软磁体构成，并且与所述薄膜磁铁相对配置，所述感应元件具有长边方向和短边方向，所述长边方向为所述薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向，并且在与所述长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性；和/n控制层，其相对于所述薄膜磁铁被配置在设置有所述感应元件这侧的相反侧，并将所述薄膜磁铁的磁各向异性控制在面内方向。/n
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