[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法

权利要求书

1.磁传感器，其具备：

薄膜磁铁，其由硬磁体构成，并且在面内方向上具有磁各向异性；

感应部，其具备感应磁场变化的感应元件，所述感应元件由软磁体构成，并且与所述薄膜磁铁相对配置，所述感应元件具有长边方向和短边方向，所述长边方向为所述薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向，并且在与所述长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性；和

控制层，其相对于所述薄膜磁铁被配置在设置有所述感应元件这侧的相反侧，并将所述薄膜磁铁的磁各向异性控制在面内方向。

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述控制层为bcc结构，构成所述薄膜磁铁的所述硬磁体为hcp结构，所述硬磁体在所述控制层的bcc结构上进行晶体生长，hcp结构的c轴在面内取向。

3.如权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，所述控制层为Cr、Mo或W或者包含它们的合金。

4.如权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述控制层被配置在非磁性的基板上，所述非磁性的基板具有沿将所述薄膜磁铁的两磁极连接的方向设置的槽。

5.如权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，在所述基板与所述控制层之间，具备提高所述控制层相对于所述基板的密合性的密合层。

6.如权利要求1～5中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述感应部的所述感应元件由夹持反磁场抑制层而经反铁磁性耦合的多个软磁体层构成，所述反磁场抑制层由Ru或Ru合金构成。

7.如权利要求1～6中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述感应部具备并列配置的多个所述感应元件，多个所述感应元件构成为通过由导电体构成的连接构件而被串联连接。

8.如权利要求1～7中任一项所述的磁传感器，其特征在于，具备磁轭，所述磁轭从所述薄膜磁铁的磁极起始、以与所述感应部中的所述感应元件的所述长边方向的端部相对的方式设置，并以所述薄膜磁铁产生的磁通量沿所述感应元件的长边方向穿过所述感应元件的方式进行诱导。

9.磁传感器的制造方法，其包括下述工序：

控制层形成工序，在非磁性的基板上形成控制层，所述控制层将在所述基板上形成的硬磁体层的磁各向异性控制在面内方向；

薄膜磁铁形成工序，在所述控制层上形成已通过所述控制层而将磁各向异性控制在面内方向的所述硬磁体层，由所述硬磁体层形成薄膜磁铁；以及

感应部形成工序，以夹持绝缘层而与所述硬磁体层相对的方式形成软磁体层，形成具备感应元件的感应部，所述感应元件在与所述薄膜磁铁产生的磁通量穿过的方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性。

10.如权利要求9所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述控制层形成工序中的所述基板为沿将所述薄膜磁铁的两磁极连接的方向形成有槽的基板。