[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880034326.2 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110663118B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；栅极沟槽部，其从半导体基板的上表面起设置到半导体基板的内部，并且在半导体基板的上表面沿预先设定的延伸方向延伸地设置；台面部，其在与延伸方向垂直的排列方向上与栅极沟槽部相接地设置；以及层间绝缘膜，其设置于半导体基板的上方，在栅极沟槽部的排列方向上的至少一部分的上方设置有层间绝缘膜，在层间绝缘膜设置有使台面部露出的接触孔，接触孔的排列方向上的宽度为台面部的排列方向上的宽度以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板；/n栅极沟槽部，其从所述半导体基板的上表面起设置到所述半导体基板的内部，并且在所述半导体基板的所述上表面沿预先设定的延伸方向延伸地设置；/n台面部，其在与所述延伸方向垂直的排列方向上与所述栅极沟槽部相接地设置；以及/n层间绝缘膜，其设置在所述半导体基板的上方，/n在所述栅极沟槽部的所述排列方向上的至少一部分的上方设置有所述层间绝缘膜，/n在所述层间绝缘膜设置有使所述台面部露出的接触孔，/n所述接触孔的所述排列方向上的宽度为所述台面部的所述排列方向上的宽度以上。/n
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